La Intel e la Micron hanno annunciato la propria tecnologia di memoria NAND Flash 3D che sarà adottata in diversi prodotti, come gli SSD, i notebook, i tablet e tutti i dispositivi portatili. Questo tipo di memoria si sviluppa in verticale, come un grattacielo, e con la massima precisione rendendo disponibile più storage in meno spazio.

A detta dei due produttori, i vantaggi principali sono un risparmio significativo sui costi, consumi più bassi e prestazioni più elevate. Tutto questo è dovuto all’uso di una cella floating gate, un design universalmente utilizzato e perfezionato dopo anni di produzione in grandi volumi di memoria flash planare.

Tuttavia l’elemento più importante è che questa tecnologia avrà capacità di archiviazione tre volte superiore rispetto alle tecnologie NAND concorrenti – almeno se si confronta un die NAND 3D TLC Micron e Intel da 384 Gb con altre NAND 3D TLC del settore.

“La memoria flash NAND planare si sta avvicinando ai limiti praticabili delle dimensioni, presentando sfide significative per il settore delle memorie. La tecnologia NAND 3D è destinata ad esercitare un impatto notevole, mantenendo le soluzioni di storage flash allineate alla Legge di Moore, ossia il percorso per continuare ad incrementare le prestazioni e il risparmio dei costi, favorendone un’ampia diffusione”, ha dichiarato Brian Shirley, Vice President of Memory Technology and Solutions di Micron Technology.

La tecnologia NAND 3D posiziona le celle flash in 32 livelli verticali per ottenere un die MLC (Multi Level Cell) da 256 Gb e un die TLC (Triple Level Cell) da 384 Gb che rientrano in un package standard. Queste capacità rendono possibile la creazione di unità SSD delle dimensioni di una gomma da masticare con oltre 3,5 TB di storage e unità SSD standard da 2,5 pollici superiori a 10 TB.

La produzione di questi dispositivi prenderà il via nella seconda metà dell’anno presso uno stabilimento a Singapore. È molto probabile che Intel e Crucial – braccio consumer di Micron – annunceranno prodotti con questo tipo di memoria nei prossimi mesi.